casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / AS3BJHM3_A/H
codice articolo del costruttore | AS3BJHM3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-AS3BJHM3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
AS3BJHM3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Avalanche |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 600V |
Corrente: media rettificata (Io) | 2A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.05V @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 1.5µs |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 20µA @ 600V |
Capacità @ Vr, F | 40pF @ 4V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AA, SMB |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AA (SMB) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
AS3BJHM3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | AS3BJHM3_A/H-FT |
S2K-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2M-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S2M-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB2D-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB2D-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB2G-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB2G-M3/5BT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SB2J-M3/52T
Vishay Semiconductor Diodes Division
M2GL090-1FCSG325
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
5SGXEB5R3F40C2N
Intel
XC7VX330T-2FFV1761C
Xilinx Inc.
XC6VHX380T-2FFG1155C
Xilinx Inc.
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC7K410T-3FFG676E
Xilinx Inc.
LFE2M35SE-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-4BN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-95EA-7LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation