casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MURS320HE3_A/H
codice articolo del costruttore | MURS320HE3_A/H |
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Numero di parte futuro | FT-MURS320HE3_A/H |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
MURS320HE3_A/H Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURS320HE3_A/H Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURS320HE3_A/H-FT |
SSC53LHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSC54-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSC54HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ015-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ015HM3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ040-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ040HM3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ060-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ060HM3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ100-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel