casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-30BQ060HM3/9AT
codice articolo del costruttore | VS-30BQ060HM3/9AT |
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Numero di parte futuro | FT-VS-30BQ060HM3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q101 |
VS-30BQ060HM3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 60V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 580mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 60V |
Capacità @ Vr, F | 180pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30BQ060HM3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-30BQ060HM3/9AT-FT |
S3A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3B-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3B-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3B-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3BHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3D-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3D-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
AT40K20LV-3BQI
Microchip Technology
M2GL025TS-1FCSG325
Microsemi Corporation
A3P600-1FGG484
Microsemi Corporation
A3PN010-QNG48I
Microsemi Corporation
A3PE600-FG256I
Microsemi Corporation
M1A3P400-2PQ208I
Microsemi Corporation
10M04SCE144C8G
Intel
5SGXMA9N3F45I3N
Intel
XC5VLX110T-3FFG1738C
Xilinx Inc.