casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-30BQ015-M3/9AT
codice articolo del costruttore | VS-30BQ015-M3/9AT |
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Numero di parte futuro | FT-VS-30BQ015-M3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-30BQ015-M3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 15V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 350mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 4mA @ 15V |
Capacità @ Vr, F | 1120pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 125°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30BQ015-M3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-30BQ015-M3/9AT-FT |
RS3K-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3K-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3B-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A1020B-PQ100I
Microsemi Corporation
XC7A200T-L1FB676I
Xilinx Inc.
A3PE1500-1PQG208
Microsemi Corporation
AT40K20AL-1AQC
Microchip Technology
5SGXEA3K3F40I4N
Intel
5SGXMA3K2F40I2LN
Intel
5CGXBC3B6F23C7N
Intel
10AX057N2F40E2LG
Intel
EPF6024AQC208-1
Intel
EP2A40F1020I8
Intel