casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / VS-30BQ040-M3/9AT
codice articolo del costruttore | VS-30BQ040-M3/9AT |
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Numero di parte futuro | FT-VS-30BQ040-M3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
VS-30BQ040-M3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Diodo | Schottky |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 40V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 530mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | - |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 500µA @ 40V |
Capacità @ Vr, F | 230pF @ 5V, 1MHz |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | SMC |
Temperatura operativa - Giunzione | -55°C ~ 150°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
VS-30BQ040-M3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | VS-30BQ040-M3/9AT-FT |
RS3KHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
RS3KHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3A-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3A-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3A-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3AHE3_A/H
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3AHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3B-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3B-M3/57T
Vishay Semiconductor Diodes Division
S3B-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
XC6SLX150T-2CSG484I
Xilinx Inc.
AGLN125V5-ZCSG81I
Microsemi Corporation
AGL400V5-FGG484
Microsemi Corporation
EP3C55F484C8N
Intel
10CL055YU484C8G
Intel
EP4SGX230KF40C3N
Intel
5SGSMD4E3H29I3LN
Intel
LCMXO640C-5B256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090N3F45E2LG
Intel
10AX032E2F29E1HG
Intel