casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Diodi - Raddrizzatori - Singoli / MURS320HE3/9AT
codice articolo del costruttore | MURS320HE3/9AT |
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Numero di parte futuro | FT-MURS320HE3/9AT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MURS320HE3/9AT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Diodo | Standard |
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 200V |
Corrente: media rettificata (Io) | 3A |
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 875mV @ 3A |
Velocità | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tempo di recupero inverso (trr) | 35ns |
Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 200V |
Capacità @ Vr, F | - |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | DO-214AB, SMC |
Pacchetto dispositivo fornitore | DO-214AB (SMC) |
Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 175°C |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MURS320HE3/9AT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MURS320HE3/9AT-FT |
SSC53L-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSC53LHE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSC54-E3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
SSC54HE3_A/I
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ015-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ015HM3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ040-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ040HM3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ060-M3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
VS-30BQ060HM3/9AT
Vishay Semiconductor Diodes Division
A40MX02-1VQG80I
Microsemi Corporation
M2GL005-VFG256
Microsemi Corporation
ICE65L01F-TVQ100C
Lattice Semiconductor Corporation
AT40K10-2DQU
Microchip Technology
5SGSMD6N2F45I2LN
Intel
EP3SE260F1152I4L
Intel
XC4VLX60-11FFG1148C
Xilinx Inc.
LFX125EB-05F256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057H4F34I3SG
Intel
EP4SGX360FF35C3N
Intel