casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / MUN5233DW1T1
codice articolo del costruttore | MUN5233DW1T1 |
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Numero di parte futuro | FT-MUN5233DW1T1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUN5233DW1T1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 4.7 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5233DW1T1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUN5233DW1T1-FT |
MUN5130DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5336DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5315DW1T1G
ON Semiconductor
NSVMUN5316DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5311DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5235DW1T3G
ON Semiconductor
MUN5113DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5134DW1T1G
ON Semiconductor
MUN5236DW1T1G
ON Semiconductor
SMUN5231DW1T1G
ON Semiconductor
XCS10XL-5TQ144C
Xilinx Inc.
A54SX32A-FG256A
Microsemi Corporation
A3PN250-VQ100
Microsemi Corporation
5SGXEA3K2F40I2N
Intel
XC7A12T-L2CPG236E
Xilinx Inc.
A3P1000L-1FGG144I
Microsemi Corporation
LFXP2-17E-7FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX125EF29I5ES
Intel
EP4SGX360HF35C2N
Intel
EP1SGX40GF1020I6
Intel