casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / MUN5134DW1T1G
codice articolo del costruttore | MUN5134DW1T1G |
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Numero di parte futuro | FT-MUN5134DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUN5134DW1T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 22 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 1mA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5134DW1T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUN5134DW1T1G-FT |
NSVBC144EPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBA123JDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBA124XDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBA114EDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBA114YDXV6T1G
ON Semiconductor
NSVBC124XPDXV6T1G
ON Semiconductor
NSBC114TDXV6T1G
ON Semiconductor
EMD5DXV6T1
ON Semiconductor
EMD5DXV6T1G
ON Semiconductor
EMF5XV6T5
ON Semiconductor
XC6SLX150-3FGG900C
Xilinx Inc.
XCS30-3PQ208C
Xilinx Inc.
XC2VP4-5FGG456I
Xilinx Inc.
AT40K20-2CQI
Microchip Technology
EP1SGX10CF672C5N
Intel
10M08SFE144C7G
Intel
EP4SGX360KF43I3N
Intel
XC6SLX16-L1CSG225C
Xilinx Inc.
AGL400V2-FGG144I
Microsemi Corporation
10M02DCV36I7G
Intel