casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / MUN5214DW1T1G
codice articolo del costruttore | MUN5214DW1T1G |
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Numero di parte futuro | FT-MUN5214DW1T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUN5214DW1T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 NPN - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 250mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SC-88/SC70-6/SOT-363 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUN5214DW1T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUN5214DW1T1G-FT |
NSBC143EDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC143EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC143TDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC143TPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC143TPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC143ZDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC143ZPDXV6T5
ON Semiconductor
NSBC143ZPDXV6T5G
ON Semiconductor
NSBC144EPDXV6T1
ON Semiconductor
NSBC144EPDXV6T5
ON Semiconductor
XCKU5P-3FFVA676E
Xilinx Inc.
EP2C50U484C7N
Intel
EP3C55F484C8
Intel
5SGXMA4K1F35C1N
Intel
XC6VHX250T-1FF1154I
Xilinx Inc.
XC6VSX475T-2FFG1156E
Xilinx Inc.
A54SX32A-FBG329
Microsemi Corporation
LCMXO3LF-9400C-5BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260EF29I3N
Intel
EPF6016AFC100-2
Intel