casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NSVBA114EDXV6T1G
codice articolo del costruttore | NSVBA114EDXV6T1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVBA114EDXV6T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVBA114EDXV6T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 10 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 35 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 500mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563-6 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVBA114EDXV6T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVBA114EDXV6T1G-FT |
XP0111H00L
Panasonic Electronic Components
XP0111M00L
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XP0121200L
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XP0121500L
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XP0121E00L
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XP0121L00L
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XP0221100L
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XP0331100L
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LCMXO2-2000ZE-3TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO640C-3T100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2VP4-6FGG256I
Xilinx Inc.
XCS10-3VQ100C
Xilinx Inc.
P1AFS1500-2FG484I
Microsemi Corporation
EP1K100FC256-2N
Intel
5SGSMD6K2F40I3LN
Intel
EP3SL200F1152I4L
Intel
EP1S30F780C7N
Intel
EP2S90F1020C5N
Intel