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ON Semiconductor NSVBA114EDXV6T1G

Numero parte MFG
NSVBA114EDXV6T1G
quantità disponibile
76080 pezzi
Prezzo di riferimento
USD 0.089208
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fabbricante
ON Semiconductor
Breve descrizione
- TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
Stato senza piombo / Stato RoHS
Conformità RoHS (senza piombo)
Livello di sensibilità all'umidità (MSL)
1 (illimitato)
Codice data (D / C)
Nuovo
categoria di prodotto
Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat
Risorsa stock
Distributore in franchising
Garanzia
360 giorni di garanzia di qualità
scheda dati
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Numero di parte futuro FT-NSVBA114EDXV6T1G
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Materiale di imballaggio Reel/Tray/Tube/Others
serie -
NSVBA114EDXV6T1G Stato (ciclo di vita) Disponibile
Stato parte Active
Transistor Type 2 PNP - Pre-Biased (Dual)
Corrente - Collector (Ic) (Max) 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Resistor - Base (R1) 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2) 10 kOhms
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 35 @ 5mA, 10V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic 250mV @ 300µA, 10mA
Corrente - Limite del collettore (max) 500nA
Frequenza - Transizione -
Potenza - Max 500mW
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso SOT-563, SOT-666
Pacchetto dispositivo fornitore SOT-563-6
Paese d'origine USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
NSVBA114EDXV6T1G Peso Contattaci
Numero parte di ricambio NSVBA114EDXV6T1G-FT

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