casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - Bipolar (BJT) - Array, pre-polarizzat / NSVBA114YDXV6T1G
codice articolo del costruttore | NSVBA114YDXV6T1G |
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Numero di parte futuro | FT-NSVBA114YDXV6T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
NSVBA114YDXV6T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Transistor Type | 2 PNP - Pre-Biased (Dual) |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 10 kOhms |
Resistor - Emitter Base (R2) | 47 kOhms |
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 80 @ 5mA, 10V |
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Corrente - Limite del collettore (max) | 500nA |
Frequenza - Transizione | - |
Potenza - Max | 500mW |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | SOT-563, SOT-666 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-563 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
NSVBA114YDXV6T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | NSVBA114YDXV6T1G-FT |
XP0111M00L
Panasonic Electronic Components
XP0121200L
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XP0121500L
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XP0121E00L
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XP0121L00L
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XP0121M00L
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XP0121N00L
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XP0221100L
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XP0331100L
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XP0338300L
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A54SX08-TQG144
Microsemi Corporation
XC2S30-5VQG100C
Xilinx Inc.
M1A3P600-2FG484I
Microsemi Corporation
EPF6010AFC256-3
Intel
5SGXEABK1H40I2N
Intel
XC5VLX30-2FF676C
Xilinx Inc.
XC7K410T-L2FFG676I
Xilinx Inc.
5AGXMB1G6F31C6N
Intel
EP3C25F324C6N
Intel
EP20K100EQI240-3
Intel