casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MUBW50-12A8
codice articolo del costruttore | MUBW50-12A8 |
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Numero di parte futuro | FT-MUBW50-12A8 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUBW50-12A8 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | NPT |
Configurazione | Three Phase Inverter with Brake |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 85A |
Potenza - Max | 350W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.6V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 3.7mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.3nF @ 25V |
Ingresso | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | E3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | E3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUBW50-12A8 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUBW50-12A8-FT |
APTGT75DDA60T3G
Microsemi Corporation
APTGT75DH120T3G
Microsemi Corporation
APTGT75DU120TG
Microsemi Corporation
APTGT75H120TG
Microsemi Corporation
APTGT75H60T3G
Microsemi Corporation
APTGT75TDU60PG
Microsemi Corporation
APTGT75X60T3G
Microsemi Corporation
APTGTQ100A65T1G
Microsemi Corporation
APTGTQ100DA65T1G
Microsemi Corporation
APTGTQ100DDA65T3G
Microsemi Corporation
A1010B-2VQG80C
Microsemi Corporation
LFXP2-8E-6TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7A35T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE600-2PQ208
Microsemi Corporation
APA750-PQ208A
Microsemi Corporation
ICE40LP1K-SWG16TR50
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEBBR3H43C2LN
Intel
XCS40XL-5BG256C
Xilinx Inc.
XC7S15-1CPGA196I
Xilinx Inc.
LFE3-95EA-6LFN672I
Lattice Semiconductor Corporation