casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGT75DH120T3G
codice articolo del costruttore | APTGT75DH120T3G |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-APTGT75DH120T3G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT75DH120T3G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Asymmetrical Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 110A |
Potenza - Max | 357W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.1V @ 15V, 75A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 5.34nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP3 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP3 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT75DH120T3G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT75DH120T3G-FT |
APTGLQ75H120T3G
Microsemi Corporation
APTGLQ75H120TG
Microsemi Corporation
APTGLQ75H65T1G
Microsemi Corporation
APTGLQ80HR120CT3G
Microsemi Corporation
APTGT100A120T3AG
Microsemi Corporation
APTGT100A120TG
Microsemi Corporation
APTGT100DA120T1G
Microsemi Corporation
APTGT100DH120TG
Microsemi Corporation
APTGT100DH60TG
Microsemi Corporation
APTGT100DU120TG
Microsemi Corporation
XC6SLX9-N3FT256C
Xilinx Inc.
A3P1000-PQ208M
Microsemi Corporation
A54SX16-2VQG100
Microsemi Corporation
EP3SL340F1517I4LN
Intel
XC7VX690T-2FFG1930I
Xilinx Inc.
LAE3-17EA-6LMG328E
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2LG
Intel
5AGXMA3D4F31C4N
Intel
EP4SGX70DF29I3N
Intel