casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / MUBW15-12T7
codice articolo del costruttore | MUBW15-12T7 |
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Numero di parte futuro | FT-MUBW15-12T7 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MUBW15-12T7 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench |
Configurazione | Three Phase Inverter with Brake |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 1200V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 30A |
Potenza - Max | 140W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.15V @ 15V, 15A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 2.7mA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 1.1nF @ 25V |
Ingresso | Three Phase Bridge Rectifier |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | E2 |
Pacchetto dispositivo fornitore | E2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MUBW15-12T7 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MUBW15-12T7-FT |
APTGT50DH170TG
Microsemi Corporation
APTGT50DH60T1G
Microsemi Corporation
APTGT50DU120TG
Microsemi Corporation
APTGT50H170TG
Microsemi Corporation
APTGT50H60T1G
Microsemi Corporation
APTGT50SK120TG
Microsemi Corporation
APTGT50SK170TG
Microsemi Corporation
APTGT50TA60PG
Microsemi Corporation
APTGT50TDU170PG
Microsemi Corporation
APTGT50TDU60PG
Microsemi Corporation
LCMXO2-256HC-4TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGLE3000V5-FGG484
Microsemi Corporation
A3P1000-2FG256I
Microsemi Corporation
EPF10K250EFI672-3
Intel
5SGXMA3E2H29C3N
Intel
EP3SL110F1152I4LN
Intel
XA7A35T-1CSG324Q
Xilinx Inc.
5CEFA7U19C6N
Intel
5CEFA7F31C7N
Intel
10AX066K2F40I2LG
Intel