casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGT50DH60T1G
codice articolo del costruttore | APTGT50DH60T1G |
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Numero di parte futuro | FT-APTGT50DH60T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT50DH60T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Asymmetrical Bridge |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80A |
Potenza - Max | 176W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT50DH60T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT50DH60T1G-FT |
APTGLQ25H120T1G
Microsemi Corporation
APTGLQ25H120T2G
Microsemi Corporation
APTGLQ300A120G
Microsemi Corporation
APTGLQ300H65G
Microsemi Corporation
APTGLQ300SK120G
Microsemi Corporation
APTGLQ30H65T3G
Microsemi Corporation
APTGLQ40H120T1G
Microsemi Corporation
APTGLQ40HR120CT3G
Microsemi Corporation
APTGLQ50DDA65T3G
Microsemi Corporation
APTGLQ50H65T1G
Microsemi Corporation
XC6SLX75T-N3FG676C
Xilinx Inc.
A3PE600-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP2C20F256C7N
Intel
5SGXMA5K2F40C2N
Intel
10M04SCE144I7G
Intel
5SGXEABK3H40C2L
Intel
XC6SLX9-2CSG225C
Xilinx Inc.
LCMXO640C-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-70EA-9FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation