casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGT50H60T1G
codice articolo del costruttore | APTGT50H60T1G |
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Numero di parte futuro | FT-APTGT50H60T1G |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT50H60T1G Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Full Bridge Inverter |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80A |
Potenza - Max | 176W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | Yes |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP1 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP1 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT50H60T1G Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT50H60T1G-FT |
APTGLQ300H65G
Microsemi Corporation
APTGLQ300SK120G
Microsemi Corporation
APTGLQ30H65T3G
Microsemi Corporation
APTGLQ40H120T1G
Microsemi Corporation
APTGLQ40HR120CT3G
Microsemi Corporation
APTGLQ50DDA65T3G
Microsemi Corporation
APTGLQ50H65T1G
Microsemi Corporation
APTGLQ50H65T3G
Microsemi Corporation
APTGLQ50TL65T3G
Microsemi Corporation
APTGLQ50VDA65T3G
Microsemi Corporation
A3P125-TQG144
Microsemi Corporation
M1A3P400-2FG256
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6FN1152I
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN030-Z2VQG100
Microsemi Corporation
5SGXMA4K1F40C2LN
Intel
5SGXMA4K3F40C2N
Intel
LCMXO640C-3B256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-17EA-8FN484I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K30ABC356-4
Intel
EPF10K20RC208-4N
Intel