casa / prodotti / Prodotti semiconduttori discreti / Transistor - IGBT - Moduli / APTGT50TDU60PG
codice articolo del costruttore | APTGT50TDU60PG |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-APTGT50TDU60PG |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
APTGT50TDU60PG Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo IGBT | Trench Field Stop |
Configurazione | Triple, Dual - Common Source |
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
Corrente - Collector (Ic) (Max) | 80A |
Potenza - Max | 176W |
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 1.9V @ 15V, 50A |
Corrente - Limite del collettore (max) | 250µA |
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 3.15nF @ 25V |
Ingresso | Standard |
Termistore NTC | No |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 175°C (TJ) |
Tipo di montaggio | Chassis Mount |
Pacchetto / caso | SP6 |
Pacchetto dispositivo fornitore | SP6-P |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
APTGT50TDU60PG Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | APTGT50TDU60PG-FT |
APTGLQ50DDA65T3G
Microsemi Corporation
APTGLQ50H65T1G
Microsemi Corporation
APTGLQ50H65T3G
Microsemi Corporation
APTGLQ50TL65T3G
Microsemi Corporation
APTGLQ50VDA65T3G
Microsemi Corporation
APTGLQ600A65T6G
Microsemi Corporation
APTGLQ75H120T3G
Microsemi Corporation
APTGLQ75H120TG
Microsemi Corporation
APTGLQ75H65T1G
Microsemi Corporation
APTGLQ80HR120CT3G
Microsemi Corporation