casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D384M64D4SB-046 XT ES:E
codice articolo del costruttore | MT53D384M64D4SB-046 XT ES:E |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D384M64D4SB-046 XT ES:E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D384M64D4SB-046 XT ES:E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 24Gb (384M x 64) |
Frequenza di clock | 2133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 105°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D384M64D4SB-046 XT ES:E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D384M64D4SB-046 XT ES:E-FT |
MT53D1024M64D8NW-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M64D8NW-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D1024M64D8NW-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M64D8PM-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D1024M64D8WF-053 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D1024M64D8WF-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D1536M32D6BE-053 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D1G32D4BD-053 WT ES:D
Micron Technology Inc.
A3P030-2QNG68I
Microsemi Corporation
XC3S50A-5TQG144C
Xilinx Inc.
A3P250-2FG256I
Microsemi Corporation
A54SX32A-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA3E1H29I2N
Intel
XC4VLX40-11FFG1148I
Xilinx Inc.
A40MX04-2PQG100I
Microsemi Corporation
10AX057K1F35I1SG
Intel
EPF10K50SQC240-1N
Intel
EP1S25F1020C7N
Intel