casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D1536M32D6BE-053 WT ES:D
codice articolo del costruttore | MT53D1536M32D6BE-053 WT ES:D |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D1536M32D6BE-053 WT ES:D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D1536M32D6BE-053 WT ES:D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 48Gb (1.5G x 32) |
Frequenza di clock | 1866MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1536M32D6BE-053 WT ES:D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D1536M32D6BE-053 WT ES:D-FT |
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NK-053 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NK-053 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NK-062 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel