casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR
codice articolo del costruttore | MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 64Gb (1G x 64) |
Frequenza di clock | 1600MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR-FT |
MT53B512M32D2NP-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4EZ-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
XC2VP70-6FF1517C
Xilinx Inc.
XC7S75-2FGGA676I
Xilinx Inc.
A3P600-2PQG208I
Microsemi Corporation
5SGXMA4K2F40C3N
Intel
10CX105YF672I6G
Intel
XC7K70T-2FBG484I
Xilinx Inc.
XC7S15-2CPGA196C
Xilinx Inc.
LCMXO2-1200ZE-2MG132I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX057K2F35I1SG
Intel
EP20K60EFC324-3N
Intel