casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D1024M64D8NW-062 WT:D
codice articolo del costruttore | MT53D1024M64D8NW-062 WT:D |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D1024M64D8NW-062 WT:D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D1024M64D8NW-062 WT:D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 64Gb (1G x 64) |
Frequenza di clock | 1600MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1024M64D8NW-062 WT:D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D1024M64D8NW-062 WT:D-FT |
MT53B512M64D4EZ-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4EZ-062 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NH-062 WT ES:C TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NJ-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NJ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4NK-053 WT ES:C
Micron Technology Inc.
XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
Intel
10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel