casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D384M64D4NY-046 XT:D
codice articolo del costruttore | MT53D384M64D4NY-046 XT:D |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D384M64D4NY-046 XT:D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D384M64D4NY-046 XT:D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 24Gb (384M x 64) |
Frequenza di clock | 2133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | - |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D384M64D4NY-046 XT:D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D384M64D4NY-046 XT:D-FT |
MT53D1024M64D8NW-046 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D1024M64D8NW-046 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D1024M64D8NW-053 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M64D8NW-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D1024M64D8NW-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53D1024M64D8NW-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D1024M64D8NW-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D1024M64D8NW-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel