casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D1024M64D8NW-046 WT:D
codice articolo del costruttore | MT53D1024M64D8NW-046 WT:D |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D1024M64D8NW-046 WT:D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D1024M64D8NW-046 WT:D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 64Gb (1G x 64) |
Frequenza di clock | 2133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D1024M64D8NW-046 WT:D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D1024M64D8NW-046 WT:D-FT |
MT53B512M32D2GZ-062 WT:B
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2GZ-062 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 AAT:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:C
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B512M32D2NP-062 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4EZ-062 WT ES:B TR
Micron Technology Inc.
MT53B512M64D4EZ-062 WT:B
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-4T144C
Lattice Semiconductor Corporation
XA3S200-4PQG208Q
Xilinx Inc.
AX125-FG256I
Microsemi Corporation
5CGXFC7D6F27I7N
Intel
5SGSMD6K1F40I2N
Intel
5SGXEA4K3F35I3N
Intel
XC4010E-2HQ208C
Xilinx Inc.
A40MX04-2PL84I
Microsemi Corporation
ICE40HX8K-CT256
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX360FF35C2XN
Intel