casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR
codice articolo del costruttore | MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 12Gb (384M x 32) |
Frequenza di clock | 1600MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 125°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR-FT |
MT53B128M32D1Z00NEC2
Micron Technology Inc.
MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D
Micron Technology Inc.
MT53B1536M32D8QD-053 WT ES:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B1536M32D8QD-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53B1536M32D8QD-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A TR
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1Z0AMWC1
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1Z0AMWC1 TR
Micron Technology Inc.
MT53B192M32D1Z9AMWC1
Micron Technology Inc.
XC6SLX150T-2FGG484I
Xilinx Inc.
M1A3P400-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-85F-7BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V1500-4BGG575C
Xilinx Inc.
AX500-FGG676
Microsemi Corporation
LFX200EB-05FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M35E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-12SE-6FN484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA9F31C8N
Intel
EP20K1000EBI652-2X
Intel