casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A
codice articolo del costruttore | MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 6Gb (192M x 32) |
Frequenza di clock | 1600MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B192M32D1SG-062 WT ES:A-FT |
MT49H32M9BM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9BM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M9BM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H64M9BM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H64M9BM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H64M9CBM-25E:B
Micron Technology Inc.
M2GL025-FCSG325I
Microsemi Corporation
M1A3P600-PQG208
Microsemi Corporation
EP4SGX360KF43C3
Intel
XC7S15-1CPGA196C
Xilinx Inc.
A42MX16-3TQ176I
Microsemi Corporation
A54SX08A-FGG144
Microsemi Corporation
A42MX16-3PQ100I
Microsemi Corporation
LFXP15C-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6SE-5F256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7C6U19C6N
Intel