casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B192M32D1Z9AMWC1
codice articolo del costruttore | MT53B192M32D1Z9AMWC1 |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT53B192M32D1Z9AMWC1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B192M32D1Z9AMWC1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 6Gb (192M x 32) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B192M32D1Z9AMWC1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B192M32D1Z9AMWC1-FT |
MT49H32M9FM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H64M9BM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H64M9BM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H64M9CBM-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H64M9FM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H64M9FM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H64M9FM-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H64M9FM-25E:B TR
Micron Technology Inc.
XC7K325T-L2FBG676E
Xilinx Inc.
A54SX08A-1PQ208I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-2100E-5UWG49ITR50
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-85F-8BG756C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P030-2VQ100
Microsemi Corporation
EP3C55U484C8
Intel
EPF10K30EFC484-2
Intel
5SGXEB6R3F43C2LN
Intel
XC5VLX50T-1FFG665I
Xilinx Inc.
EPF10K30EQC208-2
Intel