casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53B192M32D1Z0AMWC1 TR
codice articolo del costruttore | MT53B192M32D1Z0AMWC1 TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT53B192M32D1Z0AMWC1 TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53B192M32D1Z0AMWC1 TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 6Gb (192M x 32) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53B192M32D1Z0AMWC1 TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53B192M32D1Z0AMWC1 TR-FT |
MT49H32M9FM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-33:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-33:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H64M9BM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H64M9BM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H64M9CBM-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H64M9FM-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H64M9FM-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H64M9FM-25E:B
Micron Technology Inc.
XC3S50A-5FTG256C
Xilinx Inc.
XC3S1500-4FG676C
Xilinx Inc.
XC2VP70-6FF1517I
Xilinx Inc.
EPF10K200SFC672-3
Intel
EP4CGX150CF23I7
Intel
LFE2-12SE-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C5NES
Intel
10AX048E2F29I1SG
Intel
10AX016E3F27E1HG
Intel
EP20K60EFC324-2
Intel