casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR
codice articolo del costruttore | MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NAND |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | - |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 48-TFSOP (0.724", 18.40mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 48-TSOP |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29F1G08ABAEAWP-IT:E TR-FT |
MT49H16M36SJ-25:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CSJ-25E IT:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CSJ-25E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CSJ-25E:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18CSJ-25E:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M18SJ-18:B
Micron Technology Inc.
MT49H32M18SJ-18:B TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-25 TR
Micron Technology Inc.
MT49H32M9FM-33 TR
Micron Technology Inc.
MT49H64M9SJ-25E:B
Micron Technology Inc.
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel