casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT49H32M18CSJ-25E:B
codice articolo del costruttore | MT49H32M18CSJ-25E:B |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT49H32M18CSJ-25E:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT49H32M18CSJ-25E:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | DRAM |
Dimensione della memoria | 576Mb (32M x 18) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 15ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 144-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 144-FBGA (18.5x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H32M18CSJ-25E:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT49H32M18CSJ-25E:B-FT |
MT47H64M8CB-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E IT:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37V:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37V:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-3:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-5E IT:B
Micron Technology Inc.
XC3S1400A-4FG676I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-6BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F27I7N
Intel
EP3C80U484C7N
Intel
5SGXMA4K2F35I2N
Intel
XCV100-5BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP40-6FFG1148C
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FF672C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FF901I
Xilinx Inc.