casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT49H32M18SJ-18:B TR
codice articolo del costruttore | MT49H32M18SJ-18:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT49H32M18SJ-18:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT49H32M18SJ-18:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | DRAM |
Dimensione della memoria | 576Mb (32M x 18) |
Frequenza di clock | 533MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 15ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 144-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 144-FBGA (18.5x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H32M18SJ-18:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT49H32M18SJ-18:B TR-FT |
MT47H64M8CB-37E:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37V:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37V:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-3:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-3:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-5E IT:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-5E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-5E:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-5E:B TR
Micron Technology Inc.