casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT49H32M18CSJ-25E IT:B
codice articolo del costruttore | MT49H32M18CSJ-25E IT:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT49H32M18CSJ-25E IT:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT49H32M18CSJ-25E IT:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | DRAM |
Dimensione della memoria | 576Mb (32M x 18) |
Frequenza di clock | 400MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | 15ns |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 144-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 144-FBGA (18.5x11) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT49H32M18CSJ-25E IT:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT49H32M18CSJ-25E IT:B-FT |
MT47H64M8B6-5E:D TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-25:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-25:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E IT:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E IT:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37E:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37V:B
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-37V:B TR
Micron Technology Inc.
MT47H64M8CB-3:B
Micron Technology Inc.
XC4020XL-1HT144C
Xilinx Inc.
EX64-TQ100A
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ240
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN060-VQ100
Microsemi Corporation
EP20K100EFC144-3
Intel
10CL016YE144C8G
Intel
5SGXEA4K2F35C2L
Intel
LFE2-20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX090U4F45I3LG
Intel