casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29C8G96MAYBADJV-5 WT
codice articolo del costruttore | MT29C8G96MAYBADJV-5 WT |
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Numero di parte futuro | FT-MT29C8G96MAYBADJV-5 WT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29C8G96MAYBADJV-5 WT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
Dimensione della memoria | 8Gb (1G x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 168-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 168-VFBGA (12x12) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29C8G96MAYBADJV-5 WT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29C8G96MAYBADJV-5 WT-FT |
MT29C1G12MAADYAKE-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADYAKE-5 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADYAMD-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADYAMD-5 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADYAML-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAAIAFAMD-6 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAAIVAMD-5 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2-2000ZE-1UWG49ITR1K
Lattice Semiconductor Corporation
EP1K100FI484-2
Intel
XC7VX485T-1FF1157I
Xilinx Inc.
XC2VP20-6FFG896C
Xilinx Inc.
XC6SLX16-N3CSG225I
Xilinx Inc.
AGLP060V2-CS289I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FTQG100
Microsemi Corporation
EP1C4F324C8N
Intel
EP4SGX360HF35C2
Intel
EP2A40F1020C8ES
Intel