casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29C1G12MAADYAMD-5 IT
codice articolo del costruttore | MT29C1G12MAADYAMD-5 IT |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT29C1G12MAADYAMD-5 IT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29C1G12MAADYAMD-5 IT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 130-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 130-VFBGA (8x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29C1G12MAADYAMD-5 IT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29C1G12MAADYAMD-5 IT-FT |
MT25QU128ABB8ESF-0AUT TR
Micron Technology Inc.
MT25QU256ABA1EW7-0SIT
Micron Technology Inc.
MT25QU256ABA8ESF-0SIT
Micron Technology Inc.
MT25QU512ABA8E12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL01GBBB8E12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL01GBBB8E12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL01GBBB8ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL01GHBB8E12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL01GHBB8E12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel