casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29C1G12MAADYAML-5 IT
codice articolo del costruttore | MT29C1G12MAADYAML-5 IT |
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Numero di parte futuro | FT-MT29C1G12MAADYAML-5 IT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29C1G12MAADYAML-5 IT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 153-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 153-VFBGA |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29C1G12MAADYAML-5 IT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29C1G12MAADYAML-5 IT-FT |
MT25QU256ABA8ESF-0SIT
Micron Technology Inc.
MT25QU512ABA8E12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL01GBBB8E12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL01GBBB8E12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL01GBBB8ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL01GHBB8E12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL01GHBB8E12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL01GHBB8ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL01GHBB8ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
XCKU035-1FBVA676I
Xilinx Inc.
XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
Intel
EPF10K30EFC256-3
Intel
LFE2-20E-5F484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K100EFC324-1
Intel