casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT TR
codice articolo del costruttore | MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT TR |
---|---|
Numero di parte futuro | FT-MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8)(NAND), 512Mb (16M x 32)(LPDRAM) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 130-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 130-VFBGA (8x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29C1G12MAAIYAMD-5 IT TR-FT |
MT25TL01GHBB8E12-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL01GHBB8E12-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL01GHBB8ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL01GHBB8ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL256BAA1ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL256BAA1ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
MT25TL256BBA8ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL256HAA1ESF-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25TL256HAA1ESF-0AAT TR
Micron Technology Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel