casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29C4G96MAYBACKD-5 WT
codice articolo del costruttore | MT29C4G96MAYBACKD-5 WT |
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Numero di parte futuro | FT-MT29C4G96MAYBACKD-5 WT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29C4G96MAYBACKD-5 WT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8)(NAND), 4Gb (128M x 32)(LPDRAM) |
Frequenza di clock | 200MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -25°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 137-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 137-TFBGA (10.5x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29C4G96MAYBACKD-5 WT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29C4G96MAYBACKD-5 WT-FT |
MT29C1G12MAACYAMD-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAACYAMD-5 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAACYAML-5 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADAEAKC-6 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT TR
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT
Micron Technology Inc.
MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR
Micron Technology Inc.
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel