casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT
codice articolo del costruttore | MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT |
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Numero di parte futuro | FT-MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 137-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 137-TFBGA (10.5x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29C1G12MAADAFAKD-6 E IT-FT |
MT25QL128QLHS8E3WC2-0AAT
Micron Technology Inc.
MT25QL256ABA1ESF-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QL256ABA1EW7-0SIT
Micron Technology Inc.
MT25QL256ABA8E14-1SIT
Micron Technology Inc.
MT25QL256ABA8E14-1SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QL256ABA8ESF-MSIT
Micron Technology Inc.
MT25QL256ABA8ESF-MSIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QL512ABA8ESF-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT
Micron Technology Inc.
MT25QU01GBBB8ESF-0SIT
Micron Technology Inc.
A40MX04-VQ80I
Microsemi Corporation
LFEC1E-3TN144I
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S1000-4FG320I
Xilinx Inc.
EP3SE50F484I4N
Intel
XC4020XL-2BG256I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F29I7N
Intel
EPF10K30AQC240-3
Intel