casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR
codice articolo del costruttore | MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 130-VFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 130-VFBGA (8x9) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29C1G12MAADAFAMD-6 E IT TR-FT |
MT25QL256ABA8ESF-MSIT
Micron Technology Inc.
MT25QL256ABA8ESF-MSIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QL512ABA8ESF-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT
Micron Technology Inc.
MT25QU01GBBB8ESF-0SIT
Micron Technology Inc.
MT25QU02GCBB8E12-0SIT
Micron Technology Inc.
MT25QU128ABA1ESE-MSIT
Micron Technology Inc.
MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QU128ABB1EW7-CAUT
Micron Technology Inc.
MT25QU128ABB1EW7-CAUT TR
Micron Technology Inc.
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel