casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT TR
codice articolo del costruttore | MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Obsolete |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8)(NAND), 1Gb (32M x 32)(LPDRAM) |
Frequenza di clock | 166MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.95V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 137-TFBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 137-TFBGA (10.5x13) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29C1G12MAADAFAKD-6 IT TR-FT |
MT25QL256ABA8E14-1SIT
Micron Technology Inc.
MT25QL256ABA8E14-1SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QL256ABA8ESF-MSIT
Micron Technology Inc.
MT25QL256ABA8ESF-MSIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QL512ABA8ESF-0SIT TR
Micron Technology Inc.
MT25QL512ABB8ESFE01-2SIT
Micron Technology Inc.
MT25QU01GBBB8ESF-0SIT
Micron Technology Inc.
MT25QU02GCBB8E12-0SIT
Micron Technology Inc.
MT25QU128ABA1ESE-MSIT
Micron Technology Inc.
MT25QU128ABA1ESE-MSIT TR
Micron Technology Inc.
M2GL010T-FG484
Microsemi Corporation
EP1SGX25DF672C5N
Intel
EPF10K50SFC256-1X
Intel
EP1M350F780I6
Intel
XC2V1500-5BGG575C
Xilinx Inc.
XC5VLX220T-1FF1738C
Xilinx Inc.
LFE2-20E-6F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE5U-45F-6BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
EPF10K130EBC356-2
Intel