casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR
codice articolo del costruttore | MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 2.8ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-T-PBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT25TL01GHBB8E12-0AAT TR-FT |
M58LT256KSB8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT256KST7ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT256KST7ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT256KST8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT256KST8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZB6W TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZB6Z
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZQ6W TR
Micron Technology Inc.
LCMXO2280E-3TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX32A-2TQG144I
Microsemi Corporation
LFE2-20E-5QN208I
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7K3F40C2L
Intel
10M08SAU169I7G
Intel
XC2VP50-5FF1152I
Xilinx Inc.
XC4VLX25-11FFG676I
Xilinx Inc.
LFEC10E-3F256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-70SE-5FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
EP20K160EBC356-1
Intel