casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT25TL01GBBB8ESF-0AAT
codice articolo del costruttore | MT25TL01GBBB8ESF-0AAT |
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Numero di parte futuro | FT-MT25TL01GBBB8ESF-0AAT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT25TL01GBBB8ESF-0AAT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 1Gb (128M x 8) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 2.8ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Pacchetto dispositivo fornitore | 16-SOP2 |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25TL01GBBB8ESF-0AAT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT25TL01GBBB8ESF-0AAT-FT |
M58LT256KSB7ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT256KSB8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT256KSB8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT256KST7ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT256KST7ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT256KST8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT256KST8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZB6E
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZB6F TR
Micron Technology Inc.
M58WR032KB70ZB6W TR
Micron Technology Inc.
XC3S1400A-4FG676I
Xilinx Inc.
M2GL090T-FCSG325I
Microsemi Corporation
LFE5U-25F-6BG381I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F27I7N
Intel
EP3C80U484C7N
Intel
5SGXMA4K2F35I2N
Intel
XCV100-5BG256I
Xilinx Inc.
XC2VP40-6FFG1148C
Xilinx Inc.
XC4VFX20-10FF672C
Xilinx Inc.
XC7K355T-1FF901I
Xilinx Inc.