casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT25QU256ABA1EW7-0SIT
codice articolo del costruttore | MT25QU256ABA1EW7-0SIT |
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Numero di parte futuro | FT-MT25QU256ABA1EW7-0SIT |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT25QU256ABA1EW7-0SIT Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 256Mb (32M x 8) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 2.8ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 8-WDFN Exposed Pad |
Pacchetto dispositivo fornitore | 8-WPDFN (6x5)(MLP8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25QU256ABA1EW7-0SIT Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT25QU256ABA1EW7-0SIT-FT |
M58LT128KST7ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT128KST7ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT128KST8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT128KST8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT256KSB7ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT256KSB7ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT256KSB8ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT256KSB8ZA6F TR
Micron Technology Inc.
M58LT256KST7ZA6E
Micron Technology Inc.
M58LT256KST7ZA6F TR
Micron Technology Inc.
A1010B-VQG80C
Microsemi Corporation
XC3S1600E-4FG400I
Xilinx Inc.
XC3S5000-5FGG900C
Xilinx Inc.
M1A3P600L-FGG484
Microsemi Corporation
APA300-BG456
Microsemi Corporation
A40MX02-PL68
Microsemi Corporation
EP3SL150F1152I4
Intel
XC4010E-3PC84I
Xilinx Inc.
XC2VP50-7FFG1152C
Xilinx Inc.
EP1C20F324C6
Intel