casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F
codice articolo del costruttore | MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F |
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Numero di parte futuro | FT-MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH, RAM |
Tecnologia | FLASH - NAND, Mobile LPDRAM |
Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8)(NAND), 8Gb (512M x 16)(LPDDR2) |
Frequenza di clock | 533MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 1.9V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT29AZ5A3CHHWD-18AAT.84F-FT |
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2DS-053 AIT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2DS-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M32D2DS-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4HR-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D TR
Micron Technology Inc.
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel