casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D512M64D4NZ-046 WT:E
codice articolo del costruttore | MT53D512M64D4NZ-046 WT:E |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D512M64D4NZ-046 WT:E |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frequenza di clock | 2133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M64D4NZ-046 WT:E Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D512M64D4NZ-046 WT:E-FT |
IS43DR16640C-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-25DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-25DBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-25DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-3DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-3DBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-3DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280C-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
XC2S150-5FGG456I
Xilinx Inc.
XC6SLX25-2FGG484I
Xilinx Inc.
XC7A100T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A42MX36-2PQG208
Microsemi Corporation
LFE5UM-45F-7BG554I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C8F256C7
Intel
5SGXEB6R2F40C2L
Intel
EP4CGX15BF14C7N
Intel
XC4VLX40-10FFG668C
Xilinx Inc.
EP1S30F1020C7N
Intel