casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D512M64D4NZ-053 WT:D
codice articolo del costruttore | MT53D512M64D4NZ-053 WT:D |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D512M64D4NZ-053 WT:D |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frequenza di clock | 1866MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 85°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M64D4NZ-053 WT:D Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D512M64D4NZ-053 WT:D-FT |
IS43DR81280B-25DBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-25DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-3DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-3DBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-3DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280C-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280C-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR82560C-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
A3PN020-QNG68
Microsemi Corporation
LCMXO640E-4TN100C
Lattice Semiconductor Corporation
XC3S200AN-4FTG256C
Xilinx Inc.
XCV812E-6FG900C
Xilinx Inc.
XC7A50T-2CS325I
Xilinx Inc.
5CEBA9F27C7N
Intel
5SGXEA5H1F35I2N
Intel
LFE2-35SE-5FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXMA3D4F31I3G
Intel
EPF10K30AQC208-1N
Intel