casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR
codice articolo del costruttore | MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 16Gb (512M x 32) |
Frequenza di clock | 1866MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D512M32D2DS-053 AAT:D TR-FT |
GD5F1GQ4RF9IGY
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
GD5F2GQ4RF9IGR
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
IS43DR16128C-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16320E-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16320E-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640C-25DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR16640C-3DBLI-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-25DBL
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-25DBL-TR
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43DR81280B-25DBLI
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
XC2VP4-5FGG256I
Xilinx Inc.
XC3S200-5FT256C
Xilinx Inc.
XC7A100T-L2FTG256E
Xilinx Inc.
XC6SLX150T-N3FG484C
Xilinx Inc.
LCMXO3LF-2100E-5UWG49CTR1K
Lattice Semiconductor Corporation
A54SX16-1VQG100I
Microsemi Corporation
5SGXEA5K2F35I3N
Intel
5SGXEA7K2F35C2
Intel
EPF10K100EBC356-2
Intel
EPF10K100EQC240-1N
Intel