casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR
codice articolo del costruttore | MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | Automotive, AEC-Q100 |
MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Non-Volatile |
Formato di memoria | FLASH |
Tecnologia | FLASH - NOR |
Dimensione della memoria | 2Gb (256M x 8) |
Frequenza di clock | 133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 8ms, 2.8ms |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | SPI |
Tensione - Fornitura | 1.7V ~ 2V |
temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TC) |
Tipo di montaggio | Surface Mount |
Pacchetto / caso | 24-TBGA |
Pacchetto dispositivo fornitore | 24-T-PBGA (6x8) |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT25QU02GCBB8E12-0AAT TR-FT |
MT53B384M64D4NK-053 WT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D256M64D4NY-046 XT:B
Micron Technology Inc.
MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M16D1Z11MWC2
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-046 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E
Micron Technology Inc.
MT53D512M64D4RQ-053 WT:E TR
Micron Technology Inc.
MTA36ASF4G72PZ-2G9E2
Micron Technology Inc.
MTA4ATF51264AZ-2G6E1
Micron Technology Inc.
A1020B-VQ80I
Microsemi Corporation
XC4020XL-2HT144C
Xilinx Inc.
A54SX16A-FG256I
Microsemi Corporation
A3PN125-VQG100I
Microsemi Corporation
EP2C35F484I8
Intel
10M08SAU169A7G
Intel
5SGXEA5K1F35C2LN
Intel
5SGXEA4K1F35I2N
Intel
AX1000-1FGG676I
Microsemi Corporation
EPF10K50SQC208-1N
Intel