casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MTA4ATF51264AZ-2G6E1
codice articolo del costruttore | MTA4ATF51264AZ-2G6E1 |
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Numero di parte futuro | FT-MTA4ATF51264AZ-2G6E1 |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MTA4ATF51264AZ-2G6E1 Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - DDR4 |
Dimensione della memoria | 32Gb (512M x 64) |
Frequenza di clock | 1333MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | Parallel |
Tensione - Fornitura | 1.2V |
temperatura di esercizio | 0°C ~ 95°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MTA4ATF51264AZ-2G6E1 Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MTA4ATF51264AZ-2G6E1-FT |
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V128M4CY-5B:J
Micron Technology Inc.
MT46V128M4CY-5B:J TR
Micron Technology Inc.
MT46V16M16P-5B AIT:M
Micron Technology Inc.
MT46V32M16P-5B AIT:J
Micron Technology Inc.
MT46V32M16P-5B AIT:J TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16P-5B IT:J TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16P-5B XIT:J TR
Micron Technology Inc.
MT46V32M16T67A3WC1
Micron Technology Inc.
XC4013XL-2HT144C
Xilinx Inc.
LFXP6E-4TN144C
Lattice Semiconductor Corporation
A1020B-PQG100C
Microsemi Corporation
XC3S250E-5VQG100C
Xilinx Inc.
A3P600-2FGG256I
Microsemi Corporation
A3P1000-PQG208I
Microsemi Corporation
A42MX16-1PQG208M
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-6FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFEC6E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-2000HE-5MG132I
Lattice Semiconductor Corporation