casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR
codice articolo del costruttore | MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 16Gb (256M x 64) |
Frequenza di clock | 2133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 105°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D256M64D4NY-046 XT:B TR-FT |
MT46H32M32LFB5-5 AAT:B
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-5 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFT68MWC2
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFT68MWC2
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46V128M4CY-5B:J
Micron Technology Inc.
XC3S500E-4CPG132C
Xilinx Inc.
APA075-FG144A
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
XC7S6-1CSGA225C
Xilinx Inc.
10M04SAM153I7G
Intel
5AGXFB5H4F35I3N
Intel
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP20K100EFC324-3
Intel
EPF8636AQC160-3N
Intel