casa / prodotti / Circuiti integrati (circuiti integrati) / Memoria / MT53D256M64D4NY-046 XT:B
codice articolo del costruttore | MT53D256M64D4NY-046 XT:B |
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Numero di parte futuro | FT-MT53D256M64D4NY-046 XT:B |
SPQ / MOQ | Contattaci |
Materiale di imballaggio | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
MT53D256M64D4NY-046 XT:B Stato (ciclo di vita) | Disponibile |
Stato parte | Active |
Tipo di memoria | Volatile |
Formato di memoria | DRAM |
Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
Dimensione della memoria | 16Gb (256M x 64) |
Frequenza di clock | 2133MHz |
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
Tempo di accesso | - |
Interfaccia di memoria | - |
Tensione - Fornitura | 1.1V |
temperatura di esercizio | -30°C ~ 105°C (TC) |
Tipo di montaggio | - |
Pacchetto / caso | - |
Pacchetto dispositivo fornitore | - |
Paese d'origine | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
MT53D256M64D4NY-046 XT:B Peso | Contattaci |
Numero parte di ricambio | MT53D256M64D4NY-046 XT:B-FT |
MT46H16M32LFBQ-5 AAT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-5 AAT:B
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFB5-5 AIT:B
Micron Technology Inc.
MT46H32M32LFT68MWC2
Micron Technology Inc.
MT46H64M16LFT68MWC2
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 AIT:C
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 IT:C TR
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C
Micron Technology Inc.
MT46H64M32LFBQ-48 WT:C TR
Micron Technology Inc.
A54SX08A-PQG208A
Microsemi Corporation
M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel